[发明专利]用于控制中心到边缘压力改变的压力歪斜系统在审
申请号: | 201980030059.6 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN112074624A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | S·斯里瓦斯塔瓦 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/505 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文中所述的实施例涉及用于控制腔室中的中心到边缘压力改变的压力歪斜系统,以用于沉积具有改进的整体均匀性的先进图案化膜。压力歪斜系统包括经配置以在腔室中形成的泵送区、在泵送区域中设置的壁。腔室包括处理区域、泵送区域、以及连接至泵的泵送路径以排放来自泵送区域的工艺气体。每一泵送区域对应于侧面为壁的泵送区域的空间。供应管道连接至对应的泵送区及对应的质量流动控制装置,以控制提供至对应的泵送区的惰性气体的流率,以控制处理区域的面积中的压力。 | ||
搜索关键词: | 用于 控制中心 边缘 压力 改变 歪斜 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的