[发明专利]用于确定与计算光刻掩模模型相关联的电磁场的方法有效
| 申请号： | 201980030845.6 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN112236722B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 彭星月;刘晶晶 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王益 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中描述一种用于确定与图案化过程的掩模模型相关联的电磁场的方法。所述方法包括：获得关注的掩模叠层区和与所述关注的掩模叠层区相对应的相互作用阶数。所述关注的掩模叠层区被划分成多个子区。所述关注的掩模叠层区具有与电磁波穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联的一个或更多个特性。所述方法包括：基于麦克斯韦方程和量子薛定谔方程来产生一个或更多个电磁场确定表达式。所述方法包括：使用所述一个或更多个电磁场确定表达式，基于所述关注的掩模叠层区的所述子区和与电磁波穿过所述关注的掩模叠层区的传播相关联的所述特性来确定与所述关注的掩模叠层区相关联的电磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 计算 光刻 模型 相关 电磁场 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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