[发明专利]背面入射型半导体光检测装置在审
| 申请号： | 201980031120.9 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN112088435A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 石田笃司;马场隆;冈田真昇;永野辉昌 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 背面入射型半导体光检测装置(1)包括具有被二维排列的多个像素(U)的光检测基板(10)和具有对来自对应的像素(U)的输出信号进行处理的多个信号处理部的电路基板。光检测基板(10)在每个像素(U)中包括分别具有设置在半导体基板(50)的第一主面(1Nb)侧的受光区域(S)并且以盖革模式进行动作的多个雪崩光电二极管(APD)。在半导体基板(50)中，从与第一主面(1Nb)正交的方向观察时，沟槽(13)在每个像素(U)中包围包含受光区域(S)的至少一个区域(α)。多个信号处理部的数量比各像素(U)中的受光区域(S)的数量多，由各像素(U)中的沟槽(13)包围的区域(α)的数量为该像素(U)中的受光区域(S)的数量以下。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 入射 半导体 检测 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
