[发明专利]处理液喷出装置、判定装置、处理液喷出方法以及判定方法在审
申请号: | 201980031376.X | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN112106174A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 井上正史 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 处理液喷出装置(1)具有:判定部(12),判定开闭阀(72)的关闭速度,该开闭阀(72)用以开闭对喷嘴(251)供给处理液的处理液供给流路;以及拍摄部(65),在开闭阀(72)将处理液供给流路关闭且停止从喷嘴(251)喷出处理液时,从与处理液的喷出方向不同的方向拍摄喷嘴(251)的前端部的流路以及从该喷嘴(251)的前端沿着处理液的喷出方向朝前方延伸的处理液的喷出路径;判定部(12)依据拍摄部(65)拍摄喷嘴(251)的前端部的流路与喷出路径而得到的原始图像中的喷嘴(251)的前端部的流路以及喷出路径的图像进行规定的判定处理,由此判定开闭阀(72)的关闭速度是否适当或比适当的速度慢还是快的开闭阀(72)的关闭速度的区分。 | ||
搜索关键词: | 处理 喷出 装置 判定 方法 以及 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980031376.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造