[发明专利]使用晶片亮度来监测激光退火工艺和激光退火工具在审
| 申请号： | 201980032013.8 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112119486A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·祖普利斯 | 申请（专利权）人： | X-FAB德州公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/324;B23K1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于监测半导体晶片的激光退火的方法。在退火后，捕获晶片的许多区域的图像。这些区域的表面亮度由计算机进行测量，并且确定这些表面亮度测量的统计量，诸如它们的平均值和它们的标准差。使用退火的晶片的表面亮度与电阻之间的相关性，表面亮度统计量可以用来确定退火工艺是否产生了符合最终用户规格的晶片。在制造以及定期或之后维护两者期间，表面亮度统计量还可以用于监测退火工具。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 晶片 亮度 监测 激光 退火 工艺 工具 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于X-FAB德州公司，未经X-FAB德州公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980032013.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可编程增益放大装置及方法
- 下一篇：布线基板、封装体及模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
