[发明专利]具有字节擦除操作的分裂栅极闪存存储器阵列在审
| 申请号： | 201980032024.6 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN112119463A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 梁轩;杨任伟;吴满堂;N·多;H·V·特兰 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种存储器设备，该存储器设备具有：成行和列的存储器单元；字线，将存储器单元行的控制栅极连接在一起；位线，将存储器单元列的漏极区电连接在一起；第一子源极线，每个第一子源极线将处于存储器单元行中的一个中和处于第一多个存储器单元列中的源极区电连接在一起；第二子源极线，每个第二子源极线将处于存储器单元行中的一个中和处于第二多个存储器单元列中的源极区电连接在一起；第一源极线和第二源极线；第一选择晶体管，每个第一选择晶体管连接在第一子源极线中的一个与第一源极线之间；第二选择晶体管，每个第二选择晶体管连接在第二子源极线中的一个与第二源极线之间；和选择晶体管线，每个选择晶体管线连接到第一选择晶体管中的一个以及第二选择晶体管中的一个的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 字节 擦除 操作 分裂 栅极 闪存 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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