[发明专利]保护具有电极连接件的纳米孔阵列免受静电放电的影响在审
| 申请号： | 201980034038.1 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN112154327A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 大卫·华特曼 | 申请（专利权）人： | 牛津纳米孔科技公司 |
| 主分类号： | G01N33/487 | 分类号： | G01N33/487;B01L3/00 |
| 代理公司： | 上海君立衡知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31389 | 代理人： | 陈兆旺 |
| 地址： | 英国牛津*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于与接收器(6)接合的组件(8)具有接触衬垫(16)的阵列以与所述接收器(6)上的对应的连接件阵列(18)可移除地连接。所述阵列中的每一个接触衬垫(16)电连接到对应的凹槽或阱(28)的电极(26)，所述对应的凹槽或阱是传感器的一部分，其中可跨越每一个凹槽形成膜。导电栅格(102)被配置在所述阵列中的所述接触衬垫(16)之间，以抑制传导通过所述凹槽或阱的静电放电(BSD)和/或引导BSD远离所述凹槽或阱。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 具有 电极 连接 纳米 阵列 免受 静电 放电 影响 | ||
【主权项】：
暂无信息
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