[发明专利]除去盐类了的聚硅氧烷的制造方法有效
| 申请号： | 201980034515.4 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112189026B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 青叶和广 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/34 | 分类号： | C08G77/34 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李照明;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供将聚硅氧烷中含有的盐类杂质通过活性炭除去，降低了盐类等的浓度的聚硅氧烷制造方法。本发明适合用于与半导体有关的领域。本发明提供了一种除去了盐类的聚硅氧烷的制造方法，包含以下工序(1)和工序(2)，工序(1)：在有机溶剂中使聚硅氧烷与活性炭接触，工序(2)：在工序(1)之后分离聚硅氧烷。基于聚硅氧烷和有机溶剂的合计质量，以20～90质量％的比例使用聚硅氧烷。基于聚硅氧烷的质量，以3～100质量％的比例使用活性炭。在工序(1)中与活性炭的接触温度被调整到5～50℃的范围。有机溶剂采用非极性有机溶剂。作为芳香族烃可以列举出苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯，作为脂肪族烃可以列举出辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷等。活性炭的平均粒径是3～200微米。 | ||
| 搜索关键词： | 除去 盐类 聚硅氧烷 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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