[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管的驱控在审
| 申请号： | 201980034724.9 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN112189307A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 马克-马蒂亚斯·巴克兰;于尔根·伯默尔;马丁·黑尔斯佩尔;埃伯哈德·乌尔里希·克拉夫特;贝恩德·拉斯卡;安德烈亚斯·纳格尔;斯特凡·汉斯·维尔纳·舍内沃夫;简·魏格尔 | 申请（专利权）人： | 西门子股份公司 |
| 主分类号： | H03K17/14 | 分类号： | H03K17/14 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 陈方鸣 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于驱控MOSFET(1)、特别是基于具有宽带隙的半导体的MOSFET(1)的驱控装置(3)和方法。根据本发明，创建特征块，在特征块中与影响所述MOSFET(1)的开关特性的至少一个运行特征变量(U、T)相关地存储用于驱控所述MOSFET(1)的至少一个驱控变量(U1、U2、R1、R2)相对于所述驱控变量(U1、U2、R1、R2)的参考驱控值的变化(ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2)，该变化抵抗由至少一个运行特征变量(U、T)引起的、开关特性的变化。在MOSFET(1)运行时，求出至少一个运行特征变量(U、T)的实际值，并且根据特征块，相对于至少一个驱控变量的参考驱控值与至少一个运行特征变量(U、T)的实际值相关地改变至少一个驱控变量(U1、U2、R1、R2)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子股份公司，未经西门子股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980034724.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于触屏装置的透明天线集成触摸传感器
- 下一篇：一种头发定型装置
