[发明专利]通过光束分离可移除复合结构的方法在审
申请号: | 201980035862.9 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN112204711A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | J-M·贝索克斯;G·贝斯纳德;Y·辛奎因 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/762 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种通过光束分离可移除复合结构的方法,所述方法包括:供应可移除复合结构(100),其依次包括:衬底(1);光吸收层(2),其由适于至少部分地吸收光束的材料制成,所述衬底对所述光束基本上透明;牺牲层(3),其适于在施加高于解离温度的温度下解离,由与光吸收层(2)的材料不同的材料制成;至少一个待分离层(4);施加穿过衬底(1)的光束,所述光束至少部分地由光吸收层(2)吸收,以加热所述光吸收层;通过来自光吸收层(2)的热传导将牺牲层(3)加热至高于或等于解离温度的温度;在所述加热的作用下使牺牲层(3)解离。 | ||
搜索关键词: | 通过 光束 分离 复合 结构 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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