[发明专利]硅半导体基板的刻蚀方法、半导体装置的制造方法以及刻蚀液在审
| 申请号： | 201980036030.9 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112204714A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 清水智弘;新宫原正三;元吉真;渡边秀树;渡口繁 | 申请（专利权）人： | 学校法人关西大学;东北微科技股份有限公司;美录德股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的硅半导体基板的刻蚀方法包括：在硅半导体基板的表面形成包含贵金属层的催化剂层的工序；以及使在表面形成有所述催化剂层的硅半导体基板浸渍于包含氢氟酸、氧化剂以及超过0ppm且5ppm以下的表面活性剂的刻蚀液的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 方法 装置 制造 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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