[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980036289.3 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN112236869A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 小林英智;池田隆之;中川贵史;广濑丈也;胜井秀一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/108;H03K3/356 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种校正阈值电压来提高运算精确度的半导体装置。该半导体装置包括第一电流源电路及第二电流源电路，第二电流源电路具有与第一电流源电路相同的结构。第一电流源电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器及第一至第三节点。第一晶体管的第一端子与第一节点电连接，第一晶体管的背栅极与第二晶体管的第一端子及第一电容器的第一端子电连接。第一晶体管的栅极与第二节点电连接，第一电容器的第二端子与第一晶体管的第二端子电连接。第一电流源电路的第一节点与第一及第二电流源电路的第二节点电连接。通过对第一晶体管的背栅极写入校正电压，改变第一晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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