[发明专利]从半导体衬底移除半导体层的方法在审
| 申请号： | 201980036554.8 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN112204754A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | S.甘德罗图拉;T.卡米卡瓦 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军;潘晓波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种使用剥离技术通过贴附膜从衬底移除半导体层的方法，特别是从基于III族氮化物的衬底移除基于III族氮化物的半导体层的方法。该方法包括经由外延横向过度生长法在衬底上将半导体层形成为岛状图案，其中水平沟槽从层的侧面向内延伸。通过升高或降低温度并向贴附膜施加压力，在层中引入应力，使得膜牢固地适合层的形状。衬底与贴附到层的膜之间的热膨胀的差异在层与衬底之间的界面处引发开裂，使得可以从衬底移除层。一旦移除层，就可以回收衬底，从而节省器件制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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