[发明专利]用于半导体处理腔室中的磁控管组件的方法和设备在审
申请号: | 201980036904.0 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN112219255A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 汪荣军;王晓东;王伟 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/34 | 分类号: | H01J37/34 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于处理半导体的设备,所述设备包括处理腔室,所述处理腔室具有设置在顶部适配器组件中的多个阴极。具有磁控管组件的多个阴极包括:用于支撑磁控管组件的分流板;环磁极组件,所述环磁极组件耦接至分流板且具有环磁极、线性磁极和中心磁极,线性磁极从环磁极延伸到位于磁控管组件的中心处的中心磁极;和开环磁极电弧组件,所述开环磁极电弧组件耦接至分流板且围绕中心磁极的至少一部分而不与线性磁极相交。磁控管组件被定向成使得开环磁极电弧组件的开口朝向屏蔽件的外壁加以定向。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 中的 磁控管 组件 方法 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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