[发明专利]静电吸盘及其制造方法有效
| 申请号： | 201980037612.9 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112219273B | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 金允镐;金周焕;李基龙 | 申请（专利权）人： | KSM元件株式会社;韩国施美股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/304;C04B35/10;C04B35/626;C04B35/638 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 宋珂;庞东成 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种静电吸盘及其制造方法，所述静电吸盘具有高体积电阻率以降低漏电流，从而改善半导体晶片的吸附和解吸响应特性。所述静电吸盘是烧结体，在所述烧结体中浸有电极以通过静电力固定半导体晶片，并且所述静电吸盘包括氧化铝、烧结助剂和包含2至5种不同的稀土金属的稀土复合氧化物，具有2秒以下的半导体晶片的吸附和解吸响应特性，并且室温下的体积电阻率为1.0×10 |
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| 搜索关键词： | 静电 吸盘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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