[发明专利]半导体激光器和用于半导体激光器的制造方法在审
| 申请号： | 201980037669.9 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN112219325A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 斯文·格哈德;克里斯托夫·艾希勒;阿尔弗雷德·莱尔;穆罕默德·阿里 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体激光器(1)，其包括半导体层序列(2)，在半导体层序列中存在用于产生激光辐射的有源区(22)。脊形波导(3)构成为从半导体层序列(2)向外的凸起部。电接触层(5)直接位于脊形波导(3)上。金属的电连接区域(6)直接位于接触层(5)上并且被设计用于外部电连接半导体激光器(1)。金属的断裂涂层(7)直接延伸直至靠紧半导体层序列(2)的棱面(27)并且位于脊形波导(3)上。断裂涂层(7)没有电学功能并且相比于脊形波导(3)区域中的半导体层序列(2)具有对于断裂波的更低的声速。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
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