[发明专利]使用交变电场来提高血脑屏障的通透性有效
| 申请号： | 201980039088.9 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN112469352B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 卡斯滕·哈格曼;马里奥·洛尔;阿尔穆特·F·克斯纳;马乌戈热塔·布雷克;卡罗拉·福斯特;凯瑟琳·布拉米;哈达斯莎拉·赫什科维奇;塔利·沃洛希诺夫塞拉 | 申请（专利权）人： | 诺沃库勒有限责任公司 |
| 主分类号： | A61B18/12 | 分类号： | A61B18/12;A61N1/32 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;周素霞 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过将交变电场施加到脑达一段时间，可将通常无法穿过血脑屏障的某些物质(例如大分子)引入脑，其中选择交变电场的频率，使得施加交变电场提高血脑屏障的通透性。在一些实施例中，交变电场的频率小于190kHz(例如100kHz)。一旦提高血脑屏障的通透性，物质就能够穿过血脑屏障。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 交变电场 提高 血脑屏障 通透 | ||
【主权项】：
暂无信息
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