[发明专利]碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201980040591.6 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112313369B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 池田均;松本雄一;高桥亨 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;刘言 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的碳化硅单晶生长装置具备：生长容器，其由粘接有晶种基板的生长容器盖体和收纳晶种基板及碳化硅原料的生长容器主体构成；隔热容器，其包围生长容器；温度测量器，其通过设置于隔热容器的温度测量用孔，以测量生长容器内的温度；以及加热器，其加热碳化硅原料，通过升华法使碳化硅原料加热而升华，使碳化硅单晶在晶种基板上生长，其特征在于，生长容器盖体仅在生长容器盖体的晶种基板的粘接区域内形成有贯穿生长容器盖体的图案。由此，提供能够抑制贯穿螺型位错、基面位错及贯穿刃型位错的产生的碳化硅单晶生长装置及制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 生长 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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