[发明专利]用于磁谐振(MR)应用的鞘波屏障在审

专利信息
申请号: 201980040761.0 申请日: 2019-06-17
公开(公告)号: CN112313523A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: T.施密德;D.O.布鲁纳 申请(专利权)人: 斯科普磁共振技术公司
主分类号: G01R33/36 分类号: G01R33/36;G01R33/565;G01R33/58
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 万里晴
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于在磁谐振(MR)成像或光谱学装置中以预定抑制频率(ω0)抑制电缆(4)的电磁RF耦合现象的鞘波屏障(2),其中该电缆被配置为具有至少一个内部导体(6)和外围环绕的导电电缆鞘(8)的屏蔽电缆,该鞘波电缆包括所述屏蔽电缆的段和由在第一电缆位置(12)和第二电缆位置(14)之间的所述屏蔽电缆段形成的初级电感器。由导体形成的次级电感器(16)同心地布置在所述第一和第二电缆位置之间的初级电感器内或周围。次级电感器通过相应的第一和第二RLC网络部件(M1、M2)在所述第一和第二电缆连接处电连接到电缆鞘,初级和次级电感器以补偿方式配置,使得由所述初级和次级电感器产生的磁场在鞘波屏障周围的任何区域中基本上被抵消。
搜索关键词: 用于 谐振 mr 应用 屏障
【主权项】:
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