[发明专利]用于选择性亲水表面处理的臭氧在审
| 申请号： | 201980041402.7 | 申请日： | 2019-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN112313777A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 谢挺;吕新亮;仲華;杨晓晅 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/768;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 郗名悦;闫茂娟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例性实施中，方法可包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。该方法可包括允许工艺气体进入处理腔室。该工艺气体可包括臭氧气体。该方法可包括将硅氮化物层和低‑k介电层暴露于工艺气体中以改变所述硅氮化物层的表面润湿角。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 水表 处理 臭氧 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
