[发明专利]半导体器件以及电子装置有效
| 申请号： | 201980041794.7 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN112352319B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 甲谷真吾 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 意图改善半导体层中具有多个沟槽的半导体器件。半导体器件(1)具备：第1层(12)，具有包含第1导电型的杂质的第1半导体；第2层(13)，与第1层相接，具有包含比第1半导体低浓度的第1导电型的杂质的第2半导体；第1电极(21)，与第1层的第1面相接；和第2电极(22)，与第2层的第2面相接。第2层(13)还具有：第1沟槽(31a)，在内部具有与第2电极连接的第3电极(23)；和第2沟槽(33)，位于比第1沟槽更靠近第2层的外周部的位置，在内部具有与第2电极连接的第4电极(24)，第2电极(22)的整个外周端(22E)与第4电极(24)相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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