[发明专利]氮化硅基板及氮化硅电路基板在审
| 申请号： | 201980042187.2 | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112292912A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 青木克之;深泽孝幸;门马旬;岩井健太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | H05K1/03 | 分类号： | H05K1/03;C04B35/584;H01L23/13 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅基板，其特征在于，其是由具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体制成的氮化硅基板，其中，氮化硅基板的板厚为0.4mm以下，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面中，在单位面积10μm×10μm中存在的氮化硅晶粒中在晶粒内具有位错缺陷部的粒子的比例以个数比例计为0％～20％。在制成电路基板时能够提高耐蚀刻性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 硅基板 路基 | ||
【主权项】：
暂无信息
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