[发明专利]利用选择性双层电介质再生的全自对准过孔有效

专利信息
申请号: 201980042746.X 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN112368822B 公开(公告)日: 2023-09-22
发明(设计)人: 坎达巴拉·塔皮利;杰弗里·史密斯 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/027
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 陈炜;李德山
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在一种用于加工衬底的方法中,在置于第一电介质层中的多个导电结构上选择性地形成导电盖层。在该第一电介质层上选择性地形成第二电介质层。在该第二电介质层上选择性地形成第三电介质层。然后在该多个导电结构和该第三电介质层上形成第四电介质层,并且随后在该第四电介质层内形成互连结构。该互连结构包括过孔结构,该过孔结构具有:第一部分,该第一部分置于该导电盖层上,使得该第一部分的侧壁被该第三电介质层包围;以及第二部分,该第二部分设置在该第一部分和该第三电介质层上。
搜索关键词: 利用 选择性 双层 电介质 再生 对准
【主权项】:
暂无信息
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