[发明专利]利用选择性双层电介质再生的全自对准过孔有效
申请号: | 201980042746.X | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN112368822B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 坎达巴拉·塔皮利;杰弗里·史密斯 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/027 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在一种用于加工衬底的方法中,在置于第一电介质层中的多个导电结构上选择性地形成导电盖层。在该第一电介质层上选择性地形成第二电介质层。在该第二电介质层上选择性地形成第三电介质层。然后在该多个导电结构和该第三电介质层上形成第四电介质层,并且随后在该第四电介质层内形成互连结构。该互连结构包括过孔结构,该过孔结构具有:第一部分,该第一部分置于该导电盖层上,使得该第一部分的侧壁被该第三电介质层包围;以及第二部分,该第二部分设置在该第一部分和该第三电介质层上。 | ||
搜索关键词: | 利用 选择性 双层 电介质 再生 对准 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造