[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980043056.6 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112352310A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 小田佳典;上里良宪 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够维持半导体元件的配置面积并且缓和在基板产生的应力的半导体装置。半导体装置(1)在侧视时，导电图案(3b)的第一端面(3b1)形成为比金属板(3c)的第二端面(3c1)在陶瓷电路基板(3)的主面的水平方向上向陶瓷电路基板(3)的内侧偏移第一距离(d1)。另外，半导体元件(2)的第三端面(2a1)形成为比第二端面(3c1)在陶瓷电路基板(3)主面的水平方向上向陶瓷电路基板(3)的内侧偏移第二距离(d2)。而且，凹坑(3c2)形成在与第一端面(3b1)在陶瓷电路基板(3)的主面的水平方向上向陶瓷电路基板(3)的内侧分离的预定范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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