[发明专利]结晶性氧化物膜在审
| 申请号： | 201980043074.4 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN112334606A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 高桥勋;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C01G15/00;C01G55/00;C23C16/40;C30B25/18;H01L21/365;H01L21/368 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有刚玉结构的外延膜，其具有优异的对于减少了由于小面生长引起的位移等缺陷的半导体装置等有用的晶体品质。一种结晶性氧化物膜，包括刚玉结构的横向生长区域，所述横向生长区域实质上不包含小面生长区域，晶体生长方向为c轴或大致c轴方向，并包括在c轴或大致c轴方向上延伸的位移线，晶体生长已在c轴或大致c轴方向上扩展的结晶性氧化物彼此相互接合。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 氧化物 | ||
【主权项】：
暂无信息
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