[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201980043532.4 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112368850B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 大屋满明;广木均典;政元启明;林茂生 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置(1)具备设于半导体层叠构造(11)的第一电极(E1)、设于衬底(21)的第二电极(E2)、以及将第一电极(E1)和第二电极(E2)接合的接合金属层(30)，在接合金属层(30)的内部存在间隙(33)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技日本株式会社，未经新唐科技日本株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980043532.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
