[发明专利]用于平板处理设备的温度控制基座

摘要

本文所述的实施方式提供改善沉积膜层或蚀刻膜层的一致性的基板支撑组件。每个基板支撑组件包括单流向流体与双流向流体中的一者，通过基板支撑件的底板使多余的热量可被移除，和/或将将热量提供至基板支撑件以维持预定的支撑件温度。预定的支撑件温度是基于工艺参数而设置的温度，使得在处理期间，基板的均匀温度分布可独立于等离子体的强度而被维持，导致沉积膜层具有改善的膜层厚度一致性，或是蚀刻膜层具有改善的一致性。