[发明专利]晶体管阵列

摘要

一种制造器件的技术，该器件包括限定晶体管阵列的各层的堆叠并且包含在各层级之间的一个或多个导电连接，其中该方法包括：形成源极‑漏极导体图案，该源极‑漏极导体图案限定源极导体阵列和漏极导体阵列，每个源极导体为晶体管阵列的相应晶体管集合提供寻址线，并且每个漏极导体与晶体管阵列的相应晶体管相关联；其中形成所述源极‑漏极导体图案包括：形成第一导体子图案，该第一导体子图案至少在寻址线的区域中包括导体材料，并且至少在其中源极和漏极导体最接近的区域中提供源极‑漏极导体图案的导电表面；在源极导体和漏极导体最接近的区域中掩蔽第一导体子图案；此后形成第二导体子图案，该第二导体子图案至少在寻址线的区域中也包括导体材料，并且在其中要形成与源极‑漏极导体图案的导电层间连接的一个或多个互连区域中提供源极‑漏极导体图案的导电表面；此后在源极导体和漏极导体最接近的区域中对第一导体子图案去掩蔽；以及在源极‑漏极导体图案上方原位对半导体沟道材料层构图。