[发明专利]晶体管阵列在审

专利信息
申请号: 201980043977.2 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN112368852A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: J·索卡特斯;H·万德克邱武 申请(专利权)人: 弗莱克因艾伯勒有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L27/28;H01L27/32;H01L27/12
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 秦晨
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种生产器件的技术,该器件包括限定晶体管阵列的各层的堆叠并且包含一个或多个导电层间连接,其中该方法包括:形成源极‑漏极导体图案,该源极‑漏极导体图案限定源极导体阵列和漏极导体阵列,每个源极导体为晶体管阵列的相应晶体管集合提供寻址线,并且每个漏极导体与晶体管阵列的相应晶体管相关联;其中形成所述源极‑漏极导体图案包括形成第一导体子图案,并且此后形成第二导体子图案,其中所述第一导体子图案在其中要形成与源极‑漏极导体图案的导电层间连接的一个或多个互连区域中提供源极‑漏极导体图案的导电表面,并且第二导体子图案至少在源极导体和漏极导体最接近的区域中提供源极‑漏极导体图案的导电表面。
搜索关键词: 晶体管 阵列
【主权项】:
暂无信息
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