[发明专利]在单晶金刚石基质中包括多个CVD生长的小晶粒金刚石的金刚石材料在审
| 申请号： | 201980044450.1 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN112384648A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | Y·察驰 | 申请（专利权）人： | M7D公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/02;C30B29/04;C30B25/04;C23C16/26;C23C16/27 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本技术涉及使用化学气相沉积技术生成的金刚石材料和结构(即，合成金刚石的生成)。化学气相沉积的金刚石包括多相材料，所述多相材料包括(a)单晶基质相和(b)多个金刚石晶粒，所述多个金刚石晶粒中的每一个在晶体学上不同于单晶基质相。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 基质 包括 cvd 生长 晶粒 材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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