[发明专利]用于确定至少一个存储单元中的填充水平的方法和装置在审
| 申请号： | 201980045768.1 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN112384951A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | C·邦西诺;C·席尔德克内希特;P·希伦;P·辛德勒;E·马特沃斯詹;C·朗根施密德;R·森德;I·布鲁德 | 申请（专利权）人： | 特里纳米克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/586 | 分类号： | G06T7/586;G06T7/62 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 德国莱茵河*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种用于确定至少一个存储单元(112)中的填充水平的方法。该方法包括以下步骤：a)采用包括多个照射特征(118)的至少一个照射图案(116)照射存储单元(112)，并确定存储单元(112)的至少一个反射图像；b)选择反射图像中的至少一个第一反射特征和至少一个第二反射特征；c)对于第一反射特征，响应于第一反射特征对具有光学传感器(124)矩阵的至少一个传感器元件(120)的照射而生成至少两个第一传感器信号，并且对于第二反射特征，响应于第二反射特征对传感器元件(120)的照射而生成至少两个第二传感器信号，光学传感器(124)各自具有光敏区域；d)评估在步骤c)中生成的两个第一传感器信号，从而确定第一反射特征的至少一个第一纵向坐标z1，并评估在步骤c)中生成的两个第二传感器信号，从而确定第二反射特征的至少一个第二纵向坐标z2；e)在反射图像中确定第一反射特征的至少一个位置(x1，y1)和第二反射特征的至少一个位置(x2，y2)并确定第一反射特征的至少一个第一矢量(x1，y1，z1)和第二反射特征的至少一个第二矢量(x2，y2，z2)；f)根据第一矢量和第二矢量确定至少一个高度图，并由此确定存储单元中的填充水平。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 至少 一个 存储 单元 中的 填充 水平 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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