[发明专利]框架一体型掩模的制造方法在审
| 申请号： | 201980046545.7 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN112514104A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李炳一 | 申请（专利权）人： | 悟勞茂材料公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及框架一体型掩模的制造方法。根据本发明的框架一体型掩模的制造方法，所述框架一体型掩模由至少一个掩模(100)与用于支撑掩模(100)的框架(200)形成为一体，其特征在于，包括以下步骤：(a)提供具有至少一个掩模单元区域(CR)的框架(200)；(b)将包括框架(200)的工艺区域的温度提升至第一温度(ET1)；(c)使掩模(100)与框架(200)的掩模单元区域(CR)对应；(d)将包括框架(200)的工艺区域的温度降低至第二温度(ET2)；(e)将掩模(100)的边缘的至少一部分粘合到框架(200)；以及(f)将包括框架(200)的工艺区域的温度降低至第三温度(LT)。 | ||
| 搜索关键词： | 框架 体型 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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