[发明专利]垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法在审
| 申请号： | 201980047452.6 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN112424942A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | H·鲍托尔夫;A·格拉赫;S·施魏格尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/165 | 分类号： | H01L29/165;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有半导体衬底(2)的垂直功率晶体管(1)，所述半导体衬底包括第一半导体材料并且具有至少一个外延层(3)，其中，沟槽结构从所述半导体衬底(2)的表面延伸到所述至少一个外延层(3)的内部中，其特征在于，所述沟槽结构具有第一区域(13)，所述第一区域分别从沟槽底部延伸至相应沟槽的确定高度，其中，所述第一区域(13)包括第一部分区域，所述第一部分区域分别具有第一深度(t1)和第一宽度(w1)，其中，所述第一部分区域基本上垂直于所述半导体衬底(2)的表面延伸，其中，所述第一区域(13)包括第二部分区域，所述第二部分区域分别具有第二深度和第二宽度(w2)，其中，所述第二部分区域具有相对于所述半导体衬底(2)的表面的第一倾斜角度，其中，所述第一区域(13)包括第三部分区域，所述第三部分区域分别具有第三深度和第三宽度，其中，所述第三部分区域具有相对于所述半导体衬底(2)的表面的第二倾斜角度，其中，所述第一区域(13)与源接合部导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 功率 晶体管 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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