[发明专利]氧化物半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201980048435.4 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112544004A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 汤田洋平;绵引达郎;宫岛晋介;滝口雄贵 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L21/363;H01L21/365;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的在于提供可抑制氧化物半导体装置的特性劣化的技术。氧化物半导体装置具备：n型氧化镓外延层、p型氧化物半导体层和氧化物层。p型氧化物半导体层在n型氧化镓外延层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性。氧化物层在n型氧化镓外延层与p型氧化物半导体层之间配设，氧化物层的材料为与氧化镓不同的材料并且为与p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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