[发明专利]针对混合接合的后CMP处理在审
| 申请号： | 201980049187.5 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN112470272A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | G·G·小方丹;G·高;C·曼达拉普 | 申请（专利权）人： | 伊文萨思粘合技术公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/065;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 器件和技术包括用于形成穿过经堆叠和接合的结构的开口的工艺步骤。在接合层的平面化(通过化学机械抛光(CMP)等)之后并且在接合之前，开口通过预蚀刻穿过经制备的裸片的一个或多个层而形成。例如，在将裸片接合以形成组件之前，开口被蚀刻穿过待被接合的裸片的一个或多个层。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 混合 接合 cmp 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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