[发明专利]三维NOR存储器电路制造中的晶片接合在审
| 申请号： | 201980049198.3 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112514067A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | S.B.赫尔纳;E.哈拉里 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/48;H01L23/52;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 存储器阵列和单晶电路在同一集成电路中通过晶片接合(例如，粘合晶片接合或阳极晶片接合)来提供，并且通过互连层的导体互连。附加电路或存储器阵列可由附加晶片接合提供，并在晶片接合界面处通过互连层电连接。存储器阵列可包括具有单晶外延硅沟道材料的存储或存储器晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 nor 存储器 电路 制造 中的 晶片 接合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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