[发明专利]电磁辐射检测装置在审
| 申请号： | 201980049492.4 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN112740408A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | N.佩雷-拉珀内 | 申请（专利权）人： | 灵锐得 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种检测装置，包括吸收性第一堆叠(2)，其被配置为吸收至少第一波长范围内的电磁辐射并呈现第一热膨胀系数。其还包括形成光学功能并具有第二热膨胀系数的第二堆叠(3)。第一热膨胀系数不同于第二热膨胀系数，并且检测装置还包括将第一堆叠和第二堆叠分开的缓冲层(4)。缓冲层(4)具有介于0.5μm至50μm的厚度，以便吸收由第一叠层(2)引起的机械应力。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁辐射 检测 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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