[发明专利]形成用于半导体器件的晶体学稳定的铁电铪锆基膜的方法在审
| 申请号： | 201980049558.X | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN112470257A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·D·克拉克;坎达巴拉·N·塔皮利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/02;H01L29/51;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了形成用于半导体器件的晶体学稳定的铁电铪锆基膜的方法。该铪锆基膜可以是掺杂的或非掺杂的。该方法包括在衬底上沉积厚度大于5纳米的铪锆基膜，在该铪锆基膜上沉积盖层，对该衬底进行热处理以使该铪锆基膜以非中心对称的正交相、四方相或其混合物结晶。该方法进一步包括从该衬底去除该盖层，将该经热处理的铪锆基膜减薄到小于5纳米的厚度，其中该减薄的经热处理的铪锆基膜保持该结晶的非中心对称的正交相、四方相或其混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 半导体器件 晶体学 稳定 铁电铪锆基膜 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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