[发明专利]用于DRAM STI有源切割图案化的多色方法在审
申请号: | 201980050250.7 | 申请日: | 2019-08-01 |
公开(公告)号: | CN112514068A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 特金德·辛格;小泽武仁;阿卜希吉特·巴苏·马尔利克;普拉米特·曼娜;南希·冯;E·文卡塔苏布拉曼尼亚;和勇·大卫·黄;塞缪尔·E·戈特海姆 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/02;H01L21/762;H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了用以提供图案化的基板的装置及方法。通过以下步骤来形成多个图案化及隔开的第一线及碳材料线于基板表面上:选择性地沉积及蚀刻在第一方向上延伸的膜及在第二方向上延伸的膜,该第二方向与该第一方向交叉以图案化下层的结构。 | ||
搜索关键词: | 用于 dram sti 有源 切割 图案 多色 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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