[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980050332.1 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112543993A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 小幡智幸;吉田崇一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置期望耐量高。提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；有源部，设置于半导体基板；第一阱区和第二阱区，设置于半导体基板，并配置为在俯视时夹着有源部；周边阱区，设置于半导体基板，并配置为在俯视时包围有源部；中间阱区，设置于半导体基板，并在俯视时配置在第一阱区和第二阱区之间；第一焊盘，配置在第一阱区的上方；第二焊盘，配置在第二阱区的上方；以及温度感测二极管，配置在中间阱区的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
