[发明专利]具有多个电压域的DRAM设备在审
| 申请号： | 201980050375.X | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112513987A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | T·沃吉尔桑 | 申请（专利权）人： | 拉姆伯斯公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/08;G11C7/12;G11C11/408;G11C11/4094;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种DRAM设备的动态存储器阵列使用大于DRAM设备的大多数数字逻辑电路系统的操作(即，开关)电压的位线电压来操作。数字逻辑电路系统使用低于用于在DRAM阵列的位线上存储/检索数据的电压的电源电压来操作。这样可以将较低电压摆幅(以及从而将较低功率)数字逻辑用于DRAM设备上的大多数非存储阵列逻辑，从而降低了非存储阵列逻辑的功耗，进而降低了整个DRAM设备的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电压 dram 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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