[发明专利]使用深宽比相依蚀刻效应形成装置的方法与相关装置、存储器装置及电子系统

摘要

本发明揭示一种形成装置的方法，其包括形成包括按相对于侧向方向从约30°到约75°的第一角度延伸的平行结构及平行沟槽的图案化遮蔽材料。在所述图案化遮蔽材料上方提供掩模且所述掩模包括按相对于所述侧向方向从约0°到约90°的第二不同角度延伸的额外平行结构及平行孔隙。进一步使用所述掩模图案化所述图案化遮蔽材料以形成包括由所述平行沟槽及所述额外平行沟槽分离的长形结构的图案化遮蔽结构。下伏于所述图案化遮蔽结构的硬掩模材料的曝露部分经受ARDE以形成图案化硬掩模材料。移除下伏于所述图案化硬掩模材料的半导体材料的曝露部分以形成半导体柱结构。本发明还描述装置及电子系统。