[发明专利]确定图案化的高深宽比结构阵列中的倾斜角度在审
| 申请号： | 201980051195.3 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112602184A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 威廉·迪恩·汤普森;瑞吉斯·约瑟夫·克兰;丹尼尔·F·森戴;吴文丽;奥斯曼·索卡比;张晋;陈晓书 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司;以商务部国家标准与技术研究院院长为代表的美利坚合众国政府 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;G03F7/20;G01N23/201;G01N21/95 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于表征制造的或部分制造的半导体设备的结构(包括高深宽比(HAR)结构)的方法和装置。该方法包括使用小角度X射线散射(SAXS)来确定HAR结构阵列的平均参数。在一些实现方案中，SAXS用于分析样品中HAR结构的对称性，并且可以称为倾斜结构对称性分析–SAXS(TSSA‑SAXS)或TSSA。可以执行参数分析，例如对HAR结构中的倾斜度、侧壁角、翘曲以及存在的多个倾斜度的分析。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 图案 高深 结构 阵列 中的 倾斜 角度 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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