[发明专利]用于处理腔室的涂层材料在审
申请号: | 201980051346.5 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN112534560A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | S·拉斯;李铜衡;A·A·哈贾;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文描述的实施例涉及用于在处理腔室中使用的具有高电阻率的涂层材料。为了抵消导热支撑件的顶表面附近的高电荷,导热支撑件的顶表面可涂覆有高电阻率层。所述层的高电阻率减少了在导热元件的顶表面处的电荷量,大大减少或防止了电弧放电事件,同时减少了静电吸附劣化。高电阻率层还可应用于其他腔室部件。本文描述的实施例还涉及用于制造用于在处理环境中使用的腔室部件的方法。所述部件可以通过以下方式来制造:形成腔室部件的主体、可选地对主体进行非原位调整、将腔室部件安装到处理腔室中、对腔室部件进行原位调整、以及在处理腔室中执行沉积工艺。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 涂层 材料 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造