[发明专利]存储装置在审

专利信息
申请号: 201980051607.3 申请日: 2019-07-29
公开(公告)号: CN112640089A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 大贯达也;加藤清;热海知昭;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/8242 分类号: H01L21/8242;H01L21/8239;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/786
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种新颖的存储装置。该存储装置包括延伸在第一方向上的多个第一布线、多个存储元件群以及沿着第一布线的侧面延伸的氧化物层,该存储元件群的每一个都包括多个存储元件,该存储元件的每一个包括第一晶体管及电容器。第一晶体管的栅电极与第一布线电连接。氧化物层包括与第一晶体管的半导体层接触的区域。在邻接的存储元件群之间设置第二晶体管。对第二晶体管的源电极和漏电极中的一个或两个供应高电源电位。
搜索关键词: 存储 装置
【主权项】:
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