[发明专利]用于高通量电荷检测质谱分析的离子阱阵列在审
申请号: | 201980051696.1 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN112703579A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | M·F·贾罗德;D·博塔曼科 | 申请(专利权)人: | 印地安纳大学理事会 |
主分类号: | H01J49/42 | 分类号: | H01J49/42 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 邹龙辉;王玮 |
地址: | 美国印*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种静电线性离子阱(ELIT)阵列包括:多个细长电荷检测筒,其端对端布置并且各自限定居中通过其延伸的轴向通路;多个离子镜结构,每一个离子镜结构限定一对轴向对准的腔和居中延伸通过其的轴向通路,其中,不同离子镜结构被设置在每一个筒的相对端之间;以及,前离子镜和后离子镜,其各自限定至少一个腔和居中通过其延伸的轴向通路,前离子镜定位在电荷检测筒的布置的一端处,并且后离子镜定位在电荷检测筒的布置的相对端处,其中,电荷检测筒、离子镜结构、前离子镜以及后离子镜的轴向通路同轴以限定居中穿过ELIT阵列的纵向轴线。在第二方面中,ELIT阵列包括多个不同轴ELIT区域,其中离子选择性地导引到所述ELIT区域中的每一个中。 | ||
搜索关键词: | 用于 通量 电荷 检测 谱分析 离子 阵列 | ||
【主权项】:
暂无信息
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