[发明专利]用于向离子源递送馈入气体的系统有效
申请号: | 201980051802.6 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN112534562B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 奎格·R·钱尼;亚当·M·麦劳克林 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种用于减少馈入气体在进入离子源腔室的气体管上的堵塞及沉积的系统,特别是公开一种用于向离子源递送馈入气体的系统。为降低气体管的整体温度,在离子源腔室与气体管之间设置由隔热材料制成的气体衬套。气体衬套由例如钛、石英、氮化硼、氧化锆或陶瓷等隔热材料制成。气体衬套具有与离子源腔室及气体管进行流体连通的内通道,以容许馈入气体流向离子源腔室。气体衬套可具有对称的形状,从而容许其被翻转以延长其使用寿命。在一些实施例中,气体管可与散热器连通以保持气体管的温度。 | ||
搜索关键词: | 用于 离子源 递送 气体 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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