[发明专利]对径向蚀刻均匀度的主动控制在审
申请号: | 201980052920.9 | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN112543989A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 阿列克谢·马拉赫塔诺夫;菲力克斯·莱布·科扎克维奇;约翰·霍兰德;季兵;肯尼思·卢凯西 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 描述了主动控制径向蚀刻均匀度的系统和方法。所述方法包含产生具有基频的射频(RF)信号以及产生具有谐波频率的另一RF信号。控制该另一RF信号的谐波频率、或相位、或参数水平、或其组合以控制等离子体室内的RF等离子体鞘的谐波,从而实现径向蚀刻均匀度。 | ||
搜索关键词: | 径向 蚀刻 均匀 主动 控制 | ||
【主权项】:
暂无信息
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