[发明专利]MEMS器件的制造方法以及MEMS器件在审
| 申请号： | 201980053800.0 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN112567500A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 福光政和 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/53;B28D5/00;B81B3/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够抑制器件部的损伤的MEMS器件的制造方法以及MEMS器件。谐振装置(1)的制造方法包括：从第二基板(350)的下表面侧照射激光LL，以便沿上表面形成有器件部的第一基板(330)与上表面经由接合部(60)与第一基板(330)的下表面接合的第二基板(350)的分割线(LN1、LN2)在第二基板(350)的内部形成改性区域(MA2)的工序S306；以及对改性区域(MA2)施加应力并沿分割线(LN1、LN2)来分割第一基板(330)以及第二基板(350)的工序S307，接合部(60)沿分割线(LN1、LN2)而形成，以遮挡激光(LL)。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
