[发明专利]用于高深宽比蚀刻的含金属钝化在审
| 申请号： | 201980054251.9 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112640064A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 卡蒂克·S·科林吉瓦蒂;萨曼莎·西亚姆华·坦;李石柯;乔治·马塔米斯;刘龙植;潘阳;帕特里克·范克利蒙布特;阿希尔·辛格哈尔;高举文;拉什纳·胡马雍 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各种实施方案涉及用于蚀刻衬底中的特征的方法、装置和系统。通常，特征被蚀刻在包含电介质的堆叠件中。蚀刻工艺包含循环蚀刻特征并且在部分蚀刻的特征的侧壁上沉积保护膜。重复这些阶段，直到特征达到其最终深度为止。保护膜可以具有特定的组成，例如包含碳氮化钨、硫化钨、锡、含锡化合物、钼、含钼化合物、碳氮化钌、硫化钌、碳氮化铝、硫化铝、锆和含锆化合物中的至少一种。可以采取许多任选的步骤，其包含例如对掩模层掺杂，在沉积之前对衬底进行预处理，从侧壁上去除保护膜以及氧化任何剩余的保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高深 蚀刻 金属 钝化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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